дифракционное изображение неподвижного монокристалла, полученное с помощью рентгеновских лучей. Названо по имени М.
Лауэ, предложившего метод, с помощью которого В. Фридрихом и П. Книппингом была получена первая Л. (1912). Метод Лауэ состоит в следующем: узкий пучок рентгеновских лучей непрерывного спектра подаётся на неподвижный монокристалл, представляющий для рентгеновских лучей дифракционную решётку (См.
Дифракционная решётка)
. Дифракционная картина, создаваемая кристаллом, регистрируется на фотоплёнке, помещенной за кристаллом. На Л., кроме центрального пятна, образованного неотклонённым рентгеновским пучком, появляются пятна (
рис. 1), число и расположение которых зависит от типа кристалла и его ориентации относительно пучка. Появление пятен на Л. можно пояснить схемой, приведённой на
рис. 2. Пучок рентгеновских лучей падает на кристаллографические плоскости и отражается ими. Происходит
Дифракция рентгеновских лучей, причём направление отражённого луча на
рис. 2, в соответствии с
Брэгга - Вульфа условием
, отвечает направлению дифракционного максимума, вклад в который вносят все атомы, расположенные на кристаллографической плоскости. Каждое семейство параллельных кристаллографических плоскостей даёт на Л. одно пятно.
Семейство кристаллографических плоскостей (зона, или пояс), параллельных какому-либо направлению (оси зоны) в пространстве, даёт отражения вдоль направляющих конуса, ось которого совпадает с осью зоны. Пятна на Л., создаваемые такими семействами, располагаются по сечению этого конуса плоскостью фотоплёнки (зональным кривым; см. рис. 1.). Если первичный пучок совпадает с осью симметрии кристалла, пятна Л. располагаются симметрично относительно центрального пятна в соответствии с симметрией данного направления в кристалле (рис. 3), а число пятен тем больше, чем меньше расстояние между атомами вдоль оси зоны.
Таким образом, Л. позволяет определить направление осей симметрии кристалла (См.
Симметрия кристаллов)
, т. е. осуществить его "ориентировку". (Это особенно важно для неогранённых кристаллов.) Кроме того, по распределению интенсивности в пятне можно судить о степени совершенства кристалла и определять его некоторые дефекты: блочность, мозаичность, присутствие внутренних деформаций и др. (см.
Астеризм)
. Л. содержит информацию о симметрии кристалла, но однозначно установить по Л. принадлежность кристалла к одной из 32 групп симметрии без дополнительных данных невозможно (см.
Рентгеновский структурный анализ)
. Когда размеры монокристалла слишком велики, чтобы сквозь него могло пройти излучение на фотоплёнке, помещенной перед кристаллом, регистрируют рентгеновские лучи, отражённые гранями кристалла. Полученное т. о. изображение, называется эпиграммой, служит для решения тех же задач, что и Л.
А. В. Колпаков.
Рис. 2. Схема получения лауэграммы. OS - первичный пучок рентгеновских лучей; К - монокристалл; ММ' - направление кристаллографической плоскости; KL - отраженный луч; РР' - фотоплёнка.
Рис. 3. Лауэграмма ориентированного монокристалла берилла. Первичный пучок рентгеновских лучей направлен вдоль оси симметрии 2-го порядка. Монокристалл состоит из двух несколько разориентированных блоков, поэтому некоторые пятна двойные.
Рис. 1. Лауэграмма произвольно установленного монокристалла берилла. (Тонкими линиями показаны зональные кривые. )
